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SKU: IRF630 Categorías: Nuevos Ingresos, Transistores

9A – 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET, IRF630

Name: 9A - 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET, IRF630
SKU: IRF630
Availability: InStock

Q10.00

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9A - 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET, IRF630

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9A - 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET, IRF630 - Imagen 2

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9A - 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET, IRF630 - Imagen 3

El IRF630N, un MOSFET de silicio de canal N mejorado, se obtiene mediante tecnología MOSFET avanzada que reduce las pérdidas por conducción, mejora el rendimiento de conmutación y aumenta la energía de avalancha. Este transistor es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), conmutación de alta velocidad y aplicaciones de uso general.

CARACTERÍSTICAS:

Conmutación rápida
Baja Crss
100 % probado contra avalanchas
Capacidad dv/dt mejorada
Producto compatible con RoHS

APLICACIONES

Fuente de alimentación conmutada de alta frecuencia

Consulta datasheet: IRF630N

8 disponibles

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Especificaciones ténicas:

– Fabricante: Minos
– Encapsulado: TO-220
– Carga de puerta (Qg): 12 nC
– Tensión drenador-fuente: 200 V
– Capacitancia de salida (Coss): 90 pF
– Corriente de drenaje continua (Id): 9 A
– Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C
– Tensión umbral de puerta (Vgs(th)): 4 V
– Disipación de potencia (Pd): 75 W
– Capacitancia de transferencia inversa (Crss@Vds): 8,6 pF
– RDS(on): 260 mΩ@10 V
– Número: 1 canal N
– Capacitancia de entrada (Ciss): 550 pF
– Tipo: Canal N