SI DESEAS IR POR TUS PRODUCTOS, CONSULTA EXISTENCIAS EN TU SUCURSAL MÁS CERCANA

SKU: DB3 Categoría: Diodos

Diac bidireccional de silicio, DB3

Q1.00

VB O: 32 V
Rango de tensión de ruptura: 28 a 36 V
El DB3 funciona como un diodo de disparo con una referencia de voltaje fija y puede utilizarse junto con triacs para circuitos de control de compuerta simplificados o como elemento de arranque en balastros de lámparas fluorescentes.
Datasheet: DB3 | Datasheet | LGE

49 disponibles

SI DESEAS IR POR TUS PRODUCTOS, CONSULTA EXISTENCIAS EN TU SUCURSAL MÁS CERCANA

Información adicional

Especificaciones técnicas:	– Fabricante: LGE – Empaque: DO-35 – Voltaje de ruptura VBO (valor de rango): 28 V ~ 36 V – Rango de temperatura de la unión de operación: -40 °C ~ +125 °C – Corriente pico repetitiva en estado encendido (Itrm): 2 A – Tiempo de subida (tr): 2 µs – Voltaje de ruptura VBO (típico): 32 V