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SKU: DB4 Categorías: Diodos, Nuevos Ingresos

Diac bidireccional de silicio, DB4

Q1.00

RANGO DE VOLTAJE: 28-45 V
Los diacs de tres capas, dos terminales, con cable axial y sellados herméticamente están diseñados específicamente para activar tiristores. Presentan una baja corriente de ruptura a la tensión de ruptura, ya que soportan la corriente de pulso pico. La simetría de ruptura se encuentra dentro de tres voltios (DB3, DB4). Estos diacs están diseñados para su uso en el control de fase de tiristores CCC, circuitos para atenuación de lámparas, control universal de velocidad de motores FFFI y control de temperatura.
Datasheet: DB4 | Datasheet | LGE

48 disponibles

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Información adicional

Especificaciones técnicas:	– Fabricante: LGE – Empaque: DO-35 – Voltaje de ruptura VBO (valor de rango): 35 V ~ 45 V – Rango de temperatura de la unión de operación: -40 °C ~ +125 °C – Corriente de ruptura (IBO): 100 µA – Corriente de pico repetitiva en estado encendido (Itrm): 2 A – Tiempo de subida (tr): 1,5 µs – Voltaje de ruptura VBO (típico): 40 V