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SKU: SMD-2N3906S Categoría: SMD

SMD TRANSISTOR PNP PLANO EPITAXIAL, 2N3906S

Name: SMD TRANSISTOR PNP PLANO EPITAXIAL, 2N3906S
SKU: SMD-2N3906S
Availability: InStock

Q1.00

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Especificaciones técnicas:	– Tensión de ruptura colector-emisor (Vceo): -40V – Disipación de potencia (Pd): 350 mW – Ganancia de corriente DC (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V – Corriente del colector (Ic): -200 mA – Frecuencia de transición (pies): 300MHz – Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@50mA,5mA – Tipo de transistor: PNP