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SKU: IRF640 Categoría: Transistores

IRF640N, MOSFET N-CH 18AMP 200V

Q15.00

Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °Cl
Conmutación rápida
Totalmente clasificado para avalanchas
Facilidad de conexión en paralelo
Requisito de accionamiento simple
Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un área de persilicio con resistencia extremadamente baja. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los HEXFET PowerMOSFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El encapsulado TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del encapsulado del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Consulta datasheet del fabricante: IRF640 datasheet

4 disponibles

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Información adicional

Especificaciones Técnicas	– Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (VDSS): 200V – Fuente de drenaje estático en resistencia (RDS) (on): 0.15Ω – Corriente de drenaje (ID) (continua) a TC = 25°C: 18A