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MOSFET N-CHANNEL 50AMP 60V, IRFZ44N
Q10.00
- Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de InternationalRectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
- Clasificación dinámica dv/dt
- Temperatura de funcionamiento de 175 °C
- Cambio rápido
- Totalmente clasificado para avalancha
- Datasheet: IRFZ44N
15 disponibles
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Información adicional
| Especificaciones técnicas: | – Disipación total del dispositivo (Pd): 94 W |
|---|
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2da Avenida 11-09, Zona 9
Edificio "PLAZA 2-11"
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Guatemala, Guatemala
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Domingo Cerrado
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Metroplaza, Guatemala
Local 4
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L-V: 09:00 am - 06:00 pm
Sábado-Domingo:
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