SKU: IRFZ44N Categoría: Transistores

MOSFET N-CHANNEL 50AMP 60V, IRFZ44N

Name: MOSFET N-CHANNEL 50AMP 60V, IRFZ44N
SKU: IRFZ44N
Price: 10.00 GTQ
Availability: InStock

Q10.00

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de InternationalRectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Totalmente clasificado para avalancha
Datasheet: IRFZ44N

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Especificaciones técnicas:

– Disipación total del dispositivo (Pd): 94 W
– Tensión drenaje-fuente (Vdss): 55 V
– Tensión compuerta-fuente (Vgs): ± 20
– Corriente continúa de drenaje (Id): 49 A
– Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
– Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 -4 V
– Carga de compuerta (Qg): 63 nC
– Resistencia drenaje-fuente RDS (on): 17.5mΩ
– Empaquetado / Estuche: TO220
– 3 pines