JFET, N-CH, 10MA – 25V, 2N5457

– Estilo de montaje: Through Hole
. Paquete / Cubierta: TO-92-3
– Polaridad del transistor: N-Channel
– Configuración: Single
– Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 25 V
– Vds – Tensión disruptiva entre puerta y fuente: 25 V
– Voltaje de corte puerta-fuente: – 6 V
– Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0: 3 mA
– Id – Corriente de drenaje continua: 10 mA
– Dp – Disipación de potencia : 310 mW
– Temperatura de trabajo mínima: – 65 C
– Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
– Serie: 2N5457
– Voltaje máximo drenaje-puerta: 25 V
– Tipo de producto: JFETs