SKU: IRF3205 Categoría: Transistores

MOSFET IRF3205, 110A – 55V

Q8.00

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultrabaja
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Datasheet: IRF3205

14 disponibles

Información adicional

Especificaciones técnicas:	– Corriente de drenaje continua: 10A – Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 55V – Drenaje estático a fuente en resistencia: 8.0 mΩ