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SKU: IRFP460 Categoría: Transistores

Mosfet N-chanel 20Amp-500V, IRFP460

Name: Mosfet N-chanel 20Amp-500V, IRFP460
SKU: IRFP460
Availability: InStock

Q25.00

Mosfet N-chanel 20Amp-500V, IRFP460 - Imagen 2

Mosfet N-chanel 20Amp-500V, IRFP460 - Imagen 3

El IRFP460, el MOSFET mejorado de canal N de silicio, se obtiene mediante tecnología MOSFET avanzada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y optimiza la energía de avalancha.
Este transistor es ideal para SMPS, conmutación de alta velocidad y aplicaciones de propósito general.

Características generales:

① VDS = 500 V, Rdson < 280 mΩ a VGS = 10 V, ID = 20 A (típico: 230 mΩ)
② Conmutación rápida
③ Baja Crss (típica: 18 pF)
④ 100 % probado contra avalanchas
⑤ Capacidad dv/dt mejorada
⑥ Producto RoHS

Consulta la datasheet del fabricante: IRFP460 datasheet

3 disponibles

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Especificaciones técnicas:	– Voltaje Drain-to-Source VDSS: 500 V – Corriente de drenaje continua: 20 AID – Corriente de drenaje continua TC = 100 °C: 12,6 A – IDM Corriente de drenaje pulsada (Nota 1): 80 A – Voltaje dGate-to-Source VGS: ±30 V