IRF540N MOSFET N-CH 33 AMP – 100V | Tettsa - Tienda
Seleccionar página
SKU: IRF540 Categoría:

IRF540N MOSFET N-CH 33 AMP – 100V

Q10.00

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Resistencia ultrabaja
  • Clasificación dinámica dv/dt
  • Temperatura de funcionamiento de 175 °
  • Fast Switch
  • Totalmente clasificado para avalanchas
  • Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de InternationalRectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
  • El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

21 disponibles

Consulta datasheet del fabricante:  IRF540N Datasheet 2

Información adicional

Especificaciones Técnicas

– Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (VDSS): 100V
– Fuente de drenaje estático en resistencia (RDS) (on): 44mΩ
– Corriente de drenaje (ID) (continua) a TC = 25°C: 33A

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “IRF540N MOSFET N-CH 33 AMP – 100V”
Visitanos

2da Avenida 11-09, Zona 9

Edificio "PLAZA 2-11"

Local 1-3

Guatemala, Guatemala

Contáctanos

(502) 23325102

Whatsapp:+502 58112589

ventas@tettsa.gt

 

Horario

L-V: 08:00 am - 05:00 pm

Sábado: 08:00 am - 12:00 pm

Domingo Cerrado

Visitanos

2da Avenida 11-09, Zona 9

Edificio "PLAZA 2-11"

Local 1-3

Guatemala, Guatemala

Contáctanos

(502) 2332 5102

Whatsapp:+502 5811 2589

ventas@tettsa.gt

 

Horario

L-V: 08:00 am - 05:00 pm

Sábado: 08:00 am - 12:00 pm

Domingo Cerrado