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SKU: IRF540 Categoría: Transistores

MOSFET N-CH 33 AMP – 100V, IRF540N

Name: MOSFET N-CH 33 AMP - 100V, IRF540N
SKU: IRF540
Availability: InStock

Q12.00

MOSFET N-CH 33 AMP - 100V, IRF540N - Imagen 2

MOSFET N-CH 33 AMP - 100V, IRF540N - Imagen 3

MOSFET N-CH 33 AMP - 100V, IRF540N - Imagen 4

Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultrabaja
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °
Fast Switch
Totalmente clasificado para avalanchas
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de InternationalRectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
Datasheet: IRF540N | Datasheet | DOINGTER

12 disponibles

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Especificaciones Técnicas

– Fabricante: DOINGTER
– Encapsulado: TO-220
– Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
-Corriente de drenaje continuo (Id): 45 A
– Disipación de potencia (Pd): 95 W
– RDS(on): 16 mΩ a 10 V, 10 A
– Voltaje umbral de compuerta (Vgs(th) a Id): 2,2 V
– Capacitancia de transferencia inversa (Crss a Vds): 36 pF a 25 V
– Canal N: 1
– Capacitancia de entrada (Ciss): 916 pF a 25 V
– Carga de compuerta (Qg): 15,6 nC a 10 V
– Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C a (Tj)