IRF540N MOSFET N-CH 33 AMP – 100V | Tettsa - Tienda
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SKU: IRF540 Categoría:

IRF540N MOSFET N-CH 33 AMP – 100V

Q10.00

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Resistencia ultrabaja
  • Clasificación dinámica dv/dt
  • Temperatura de funcionamiento de 175 °
  • Fast Switch
  • Totalmente clasificado para avalanchas
  • Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de InternationalRectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
  • El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

19 disponibles

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Consulta datasheet del fabricante:  IRF540N Datasheet 2

Información adicional

Especificaciones Técnicas

– Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (VDSS): 100V
– Fuente de drenaje estático en resistencia (RDS) (on): 44mΩ
– Corriente de drenaje (ID) (continua) a TC = 25°C: 33A

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